2021/04/12 シェア ローム、GaN HEMT で 8V のゲート耐圧技術を開発 ロームは、独自構造を採用することで、耐圧 150V の GaN HEMT におけるゲート・ソース定格電圧を 8V に高める技術を開発した。ゲート駆動電圧に対するマージンが従来に比べ 3 倍も高くなり、電源回路の信頼性を向上できるという。 [続きを読む] 提供元 : EE Times Japan
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