業界ニュース

2021/04/09

3D NAND フラッシュの製造歩留まりを高める 2 段階積層

今回は、3D NAND フラッシュの製造工程の中で最も困難とされる、「メモリスルーホール」の形成プロセスに関する講演部分をご報告する。 [続きを読む]
提供元 : EE Times Japan

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