米国 UnitedSiC は 2020 年 12 月 2 日 (現地時間)、同社の「第 4 世代 SiC FET」として、750V 耐圧の新製品を発表した。同社は、単位面積当たりのオン抵抗やスイッチング性能など、「業界最高の性能指数」を実現したと説明している。またコスト面でも、「スーパージャンクション (SJ) 構造のシリコン MOSFET のプレミアム品とほぼ同水準の価格だ」という。 [続きを読む]