業界ニュース

2020/09/09

SiC-MOSFET の電子移動度が倍増、20 年ぶりに大幅向上

京都大学が、SiC パワー半導体の研究で再び快挙を成し遂げた。京都大学 工学研究科 電子工学専攻の木本恒暢教授と同博士課程学生の立木馨大氏らの研究グループは 2020 年 9 月 8 日、新たな手法による酸化膜形成により、SiC と酸化膜 (SiO2) の界面に発生する欠陥密度を低減し、試作した n 型 SiC-MOSFET において従来比 2 倍の性能を実現したと発表した。 [続きを読む]
提供元 : EE Times Japan

おすすめの記事

速納.com 年度末オシロ・マルチ・ファンクションジェネレータ割引キャンペーン