業界ニュース

2020/07/01

京セミ、変調帯域 40GHz のフォトダイオード開発

京都セミコンダクターは、変調帯域 40GHz を実現したインジウムガリウムヒ素フォトダイオード (InGaAs-PD)「KP-H KPDEH12LC-CC1C」を開発した。「Beyond 5G」を見据えた製品で、4 値変調方式 (PAM4) を利用した伝送速度 400G ビット/秒の伝送システムに対応する。 [続きを読む]
提供元 : EE Times Japan

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