2019/06/27 シェア 首都大学東京ら、TMD の新たな合成技術を開発 首都大学東京と筑波大学の研究チームは、新たに開発した遷移金属ダイカルコゲナイド (TMD) の合成技術を用いて、半導体原子層の接合構造 (半導体ヘテロ接合) を実現し、その構造と電気的性質を解明した。 [続きを読む] 提供元 : EE Times Japan
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