業界ニュース

2019/06/12

東大生研、大容量 & 低消費電力の FeFET を開発

東京大学生産技術研究所は 2019 年 6 月 10 日、大容量で低消費電力な 8nm の極薄 IGZO チャネルを有するトランジスタ型強誘導体メモリ (FeFET) を開発した、と発表した。同所は、「IoT デバイスのエネルギー効率が飛躍的に向上し、より高度で充実したネットワーク、サービスの展開が期待される」としている。 [続きを読む]
提供元 : EE Times Japan

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