東京大学生産技術研究所は 2019 年 6 月 10 日、大容量で低消費電力な 8nm の極薄 IGZO チャネルを有するトランジスタ型強誘導体メモリ (FeFET) を開発した、と発表した。同所は、「IoT デバイスのエネルギー効率が飛躍的に向上し、より高度で充実したネットワーク、サービスの展開が期待される」としている。 [続きを読む]