業界ニュース

2018/11/05

STT-MRAM の不良解析を高精度・高効率で実現

東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター (CIES) の遠藤哲郎センター長らによる研究グループは、アドバンテストと共同でスピン注入型磁気ランダムアクセスメモリ (STT-MRAM) のスイッチング電流を、高い精度で高速に測定する技術を確立した。 [続きを読む]
提供元 : EE Times Japan

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