東北大学電気通信研究所の吹留博一准教授らは、GaN (窒化ガリウム) を用いた無線通信用高速トランジスタ (GaN-HEMT) の出力低下につながる表面電子捕獲のナノスケール定量分析と、その抑制機構の解明に成功した。 [続きを読む]