2xnm 世代の CMOS ロジック製造技術によって記憶容量が 40M ビット (5M バイト) の埋め込み MRAM マクロを試作した結果を報告する後編である。ここでは、長期信頼性 (書き換えサイクル数とデータ保持期間) とはんだ付け耐熱性に関する試験結果を紹介する。 [続きを読む]