2026/08/31 シェア 6.5kV SiC MOSFET を開発、NoMIS Power NoMIS Power は、8kV 超のブロック電圧と 90m Ωのオン抵抗、55A のドレイン電流を実現した 6.5kV 炭化ケイ素 (SiC) MOSFET を開発した。 [続きを読む] 提供元 : EDN Japan
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