Navitas Semiconductor は、1200V ～ 3300V の炭化ケイ素 (SiC) MOSFET 向けに 6000V 超の絶縁性能を備えた「UHV-TO-247-4-ISO」を開発した。熱性能や EMI 特性を改善し、高電圧用途に対応する。 [続きを読む]