東芝デバイス & ストレージ (東芝 D&S) は 2026 年 5 月 21 日、1200V 耐圧トレンチゲート型炭化ケイ素 (SiC) MOSFET「TW007D120E」を発表した。独自のトレンチゲート構造の採用によって「単位面積当たりで、業界トップクラスの低オン抵抗」(同社) を実現し、既存製品と比較してオン抵抗を約 58% 削減している。 [続きを読む]