2026/03/31 シェア GaN トランジスタ採用パワー SiP の第 2 世代品、ST マイクロ ST マイクロエレクトロニクスは、第 2 世代「MasterGaN」ハーフブリッジファミリーのパワー SiP「MasterGaN6」を発表した。オン抵抗 140m Ωの GaN パワートランジスタを搭載している。 [続きを読む] 提供元 : EDN Japan
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