ST マイクロエレクトロニクスは、エンハンスメント型 GaN (窒化ガリウム) FET の高周波スイッチングを実現するハーフブリッジゲートドライバ「STDRIVEG600」を発表した。最大 6V のゲートソース間電圧を GaN パワーデバイスに印加できる。ハイサイド回路は最大 600V 耐圧で、500V までの高電圧アプリケーションに利用可能だ。 [続きを読む]