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商品説明
・スピン・トランスファー・トルク磁性抵抗ランダム・アクセス・メモリなどの新しいメモリの高精度かつ高速な特性評価(シリコンウエハーでのDC測定から高速パルスドIV測定まで)・STT-MRAMの磁気トンネル接合(MTJ)に正確で高速なパルスド電圧(最小1 nsパルス)を印加して、MTJの抵抗を高い精度で測定
・すべての代表的なMTJ特性評価テストを1つのソリューションで実行
・10~100倍高速化したサイクルテスト(ビット・エラー・レート・テスト(BERT)など)
・書き込みパルス中のMTJスイッチング波形を捕捉してクリアに表示キーサイトの技術専門知識を統合した専用ソリューション
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