Keysight 4075を使用すれば、通信アプリケーションで用いられる極薄ゲート酸化膜MOSFETや高速半導体デバイスなどの新しいデバイス・ストラクチャを正確に特性評価することができます。Keysight 4075には、熱の影響を非常に受けやすいデバイスの特性評価に必要な、10 ns以下のパルスIV測定機能もあります。
この種のデバイスには、SOIストラクチャや、High-kトランジスタなどの電荷の影響を受けやすいデバイスがあります。
Keysight 4075は、他の4070ファミリと同様に、世界中の300 mm製造ラインで実証済みの300 mm SECS/GEMオートメーション・プロトコルをサポートしています。
・ 極薄酸化膜ストラクチャのテストでの最高の柔軟性
最新の極薄酸化膜MOSFETストラクチャは、電子トンネル効果の影響を受けやすくなっています。そのCV動作を特性評価するには、容量測定で数MHzを超える周波数が必要です。
しかし、これを実現するために必要なHFCV測定手法とRFCV測定手法にはトレードオフがあります。
4075には、HFCV(4294A)とRFCV(ENA)の両方が装備されているので、プロセス・テクノロジーや製造テストのニーズに最適な方法を選択することができます。
・ 高速デバイスの正確なテスト
通信アプリケーションや高速ロジック・アプリケーションでは、高速半導体デバイスの性能を詳しく特性評価する必要があります。
Keysight 4075ではRF Sパラメータ測定(PNA)を実行できるので、こうしたタイプの高速デバイスを正確に特性評価することができます。
・ 超短パルス測定機能による温度の影響の除去
製造テスト・システムのパルス測定機能はmsレンジに制限されますが、これでは、最新半導体デバイスに対する熱の影響を防ぐには不十分です。
Keysight 4075には10 nsまでの超短パルスIV測定機能が備わっているので、SOI(silicon-on-insulator)トランジスタなどの温度の影響を受けやすいデバイスや、電荷の影響を受けやすいHigh-kトランジスタを特性評価できます。
・ スループットの向上とテスト・コストの削減
Keysight 4075のテスト・ヘッドには、HFCV/RFCV測定以外にも、高速容量測定ユニット(HSCMU)が組み込まれています。
1 kHz～2 MHzの周波数レンジでレイヤ間/レイヤ内酸化膜の高速容量測定を行えるので、スループットが向上し、テスト・コストが減少します。
・ 300 mm SECS/GEMオートメーションのサポートによる柔軟性の向上
ほぼすべての最新300mmウェーハ製造工場は、SECS/GEMオートメーション・プロトコル規格を使った工場オートメーションをある程度採用しています。
4075は、300 mmオートメーションに必要なSEMI規格をサポートしています。
これにより、完全に自動化された300 mm製造テスト環境にDC/RFパラメトリック製造テストを統合することができます。
・ 製造に簡単に移行可能
Keysight 4075は、量産環境に簡単に組み込むことができます。テスト・ヘッドに最大8つのRFポートと最大48のピンを含めることが可能です。
これらはDC/RFダイレクト・ドッキング・スタイル・プローブ・カードをサポートしています。
したがってプローブ・カードの交換が容易です。自動プローブ・カード・チェンジャを使用することもできます。
Keysight 4075には便利なソフトウェア・ユーティリティが装備されているので、4075ソフトウェア環境からRF測定リソースを自動的に校正することができます。
製造で測定確度を維持するには、RF測定器の定期校正が不可欠です。
これまでRFエンジニアリングの専門知識を必要としたRF校正を、オペレータが簡単に実行できるようになります。