1GHz帯域幅で、CMRRの性能が良い光絶縁プローブ。オシロスコープでSiCやGaNの波形評価に最適。
モデルは、帯域別に100MHz(MOIP100P)から1GHz(MOIP1000P)まで5種類。
アッテネータ・チップを1本、標準添付。アッテネータ・チップは数種類から選択可能(別料金)OP10-2～OP1000-1G。

特長
■Present True Signal
100MHzで128dB、1GHzで100dBを超える非常に高いコモンモード除去比(CMRR)を持ち信号を忠実に測定可能です。
■優れた振幅-周波数特性
DCゲイン精度≦1%、ノイズ≦0.45mVrms、ゼロ・ドリフト< 0.1%(5分後)、ゲイン・ドリフト< 1%。
■第3世代半導体に最適なプローブ
SiCやGaNのようなデバイスは、非常に高エネルギーの高周波高調波を含む高電圧を数ナノ秒で切り替えることができます。SigOFITは最大帯域幅においても100dB以上のCMRRを有し、高周波コモンモードノイズによる発振を抑制します。
■安全性能
テストリードは短く、同軸ケーブル伝送のため、入力キャパシタンスは2.5pF未満で、GaNをテストするのに非常に安全です。* デバイスがすでに臨界状態にある場合、安全性は保証されません。
■広い測定範囲
従来の差動プローブは高電圧信号しか測定できませんでしたが、異なるアッテネーター・チップを使用することで、±0.1Vから±6250までの差動モード信号を測定することができ、最適なレンジで非常に高いS/N比を実現します。
■使いやすくフレキシブル
従来のディファレンシャルプローブより小型で、より正確なプローブチップにより電源投入後すぐにテストが可能です。オートゼロは1秒未満、リアルタイムで正確な信号出力を実現します。