SiC、GaNなどの新しい材料を使ったパワー半導体の開発が進んでいます。これらのデバイスは、より高速な立ち上がり特性とより高電圧（6kV以上）に対応しています。
低損失・高速化するパワーデバイスの計測において実動状態のON領域での損失測定することは非常に困難になってきています。
テレダイン・レクロイでは、オシロスコープと差動アンプで、SiC、GaNパワーデバイスの計測で起こる問題点・課題を解決の提案をしています。

主な機能と特長

• スイッチング素子損失測定
• 安全動作領域（SOA）
• 磁気素子のB-Hカーブ測定
• 制御ループ解析
• ラインパワー測定
• 電源出力リップル測定
• 効率測定

■課題

デバイスの動的なON抵抗（飽和電圧）を計測できない。

■解決法

差動アンプ DA1855Aと差動ペアプローブ DXC100Aを使用すれば、回路動作状態での実測値を元にした算出が可能になりデバイスがスイッチング動作している状態で、ON抵抗を計測できます。（下図はパワー解析ソフトウエアPWRを使用して測定）

■課題

従来のオシロスコープでは、スイッチング時に発生するオーバーシュートや、微小なノイズを正確に計測できない。

■解決法

高分解能オシロスコープで16倍詳細に表示
分解能12ビットのオシロスコープ（HDOシリーズ）により、8ビットの16倍の量子化レベルを達成（4,096レベル）。これにより、よりダイナミックレンジの大きな計測ができます。

HDV3605
高電圧差動プローブ

■課題

6kV以上の高電圧に対応した差動プローブがない

■解決法

最大8.4kV（DC+peak AC）の対地間最大定格電圧対応の高電圧差動プローブ
テレダイン・レクロイの対地間最大定格電圧8.4kV（ DC+peak AC）、100MHzの高電圧差動プローブ（HVD3605）ならば、SiCデバイスにも対応します。

執筆協力: テレダイン・レクロイ・ジャパン株式会社　ホームページはこちら

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